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產(chǎn)品參考圖片

IRF6662TR1PBF

制造廠商：IR（國(guó)際整流器公司）

類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，DIRECTFET

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

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技術(shù)參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRF6662TR1PBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：8.3A（Ta），47A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 8.2A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 100μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：31nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1360pF @ 25V

功率 - 最大值：2.8W

安裝類型：表面貼裝

產(chǎn)品封裝：DirectFET 等容 MZ

供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET MZ

現(xiàn)在可以訂購IRF6662TR1PBF，國(guó)內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨，國(guó)外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。

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