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產(chǎn)品參考圖片
IRF7351PBF 圖片
IRF7351PBF
  • 制造廠商:IR(國際整流器公司)
  • 類別封裝:場效應(yīng)管陣列,8-SO
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
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    技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IRF7351PBF
  • 制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):8A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):17.8 毫歐 @ 8A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 50μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):36nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1330pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封裝:8-SO
  • 現(xiàn)在可以訂購IRF7351PBF,國內(nèi)庫存當(dāng)天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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