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產(chǎn)品參考圖片

IRFHM830TR2PBF

制造廠商：IR（國(guó)際整流器公司）

類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，PQFN

技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

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技術(shù)參數(shù)詳情：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRFHM830TR2PBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購(gòu)

描述：MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：21A（Ta），40A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：3.8 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 50μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：31nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2155pF @ 25V

功率 - 最大值：2.7W

安裝類型：表面貼裝

產(chǎn)品封裝：8-VQFN 裸露焊盤(pán)

供應(yīng)商器件封裝：PQFN（3x3）

現(xiàn)在可以訂購(gòu)IRFHM830TR2PBF，國(guó)內(nèi)庫(kù)存當(dāng)天發(fā)貨，國(guó)外庫(kù)存7-10天內(nèi)發(fā)貨。

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