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SI3443DVTR
制造廠商:IR(國際整流器公司)
類別封裝:單端場效應(yīng)管,Micro6
技術(shù)參數(shù):MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP
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(您可通過電話、微信、QQ或郵件與銷售代表聯(lián)系詢價及采購)
技術(shù)參數(shù)詳情:
制造商產(chǎn)品型號:SI3443DVTR制造廠家名稱:IR(International Rectifier)已被英飛凌INFINEON收購描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP系列:HEXFETFET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動漏源極電壓 (Vdss):20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4.4A(Ta)不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):65 毫歐 @ 4.4A,4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1079pF @ 10V功率 - 最大值:2W安裝類型:表面貼裝產(chǎn)品封裝:SOT-23-6供應(yīng)商器件封裝:Micro6(TSOP-6)現(xiàn)在可以訂購SI3443DVTR,國內(nèi)庫存當天發(fā)貨,國外庫存7-10天內(nèi)發(fā)貨。
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