

場效應(yīng)管陣列

IGBT - 單路

外部開關(guān)MOSFET,電橋驅(qū)動器

線性穩(wěn)壓器芯片

固態(tài)繼電器

單端場效應(yīng)管

固態(tài)繼電器

場效應(yīng)管陣列

單端場效應(yīng)管

IGBT模塊

單端場效應(yīng)管

外部開關(guān)MOSFET,電橋驅(qū)動器

線性穩(wěn)壓器芯片

單端場效應(yīng)管

單端場效應(yīng)管

單端場效應(yīng)管

單端場效應(yīng)管
IR官網(wǎng)中文新聞頻道:2025年8月30日IR國際整流器公司重要資訊、突發(fā)新聞
IR推出第二代 (Gen2) IRAM系統(tǒng)級封裝 (System-In-Package,簡稱SIP) 節(jié)能智能功率模塊 (Intelligent Power Module) 系列,可有效縮小和簡化家電的電機驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計,包括空調(diào)、風(fēng)扇、
IR推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403,適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應(yīng)用
IR推出IRFHE4250D FastIRFET雙功率MOSFET,藉以擴充電源模塊組件系列。新款25V器件在25A的電流下能夠比其它頂級的傳統(tǒng)電源模塊產(chǎn)品減少5%以上的功率損耗
IR推出高性能600V超高速溝道場截止絕緣閘雙極晶體管 (IGBT) IR66xx系列。堅固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。

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